STO47N60M6技术参数详情：
STO47N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（VDSS）下，实现了低至80毫欧（典型值@10V, 18A）的导通电阻与52.2nC的低栅极电荷的优异组合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统效率。
其设计兼顾了高电流处理能力与出色的开关性能，在壳温25°C下连续漏极电流（ID）可达36A。器件采用热增强型的TOLL表面贴装封装，具有良好的散热特性，最大功耗为255W，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些核心特性使其成为要求高功率密度和高可靠性的中高功率开关电源、电机驱动及新能源逆变器等应用的理想选择。
- 型号:STO47N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TOLL（HV）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TOLL（HV）
- 封装/外壳:8-PowerSFN
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