STP14NK60ZFP

STP14NK60ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至500毫欧（@10V， 6A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升系统能效。

此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为75nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关场景。器件采用TO-220FP通孔封装，在25°C壳温下可承受13.5A的连续漏极电流，功率耗散达40W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，为工业级电源转换和电机控制应用提供了可靠、高效的解决方案。

• 型号:STP14NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 现在可以订购STP14NK60ZFP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。