STP100N8F6

STP100N8F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其极低的导通损耗与强劲的电流处理能力。

其关键参数包括80V的漏源电压（V_DSS）和高达100A的连续漏极电流（I_D）。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为9毫欧（@50A），这直接确保了在高电流应用中的高效能。同时，100nC的典型栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，降低动态损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。

• 型号:STP100N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5955 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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