STP100NF04

STP100NF04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于通过AEC-Q101认证的汽车级STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关性能平衡。

该器件额定漏源电压为40V，在壳温25°C下可连续承载高达120A的电流，而其导通电阻在10V V_GS和50A I_D条件下最大值仅为4.6mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的效率。同时，最大150nC的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些参数共同指向了高效率、高功率处理能力的核心卖点。

此外，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为300W，确保了在汽车及工业等严苛环境下的可靠性和耐用性，适用于电机驱动、电源转换等高要求应用。

• 型号:STP100NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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