STP105N3LL

STP105N3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进DeepGATE和STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在壳温（Tc）条件下可承载高达80A的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅源电压、40A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为3.5毫欧，这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）为42nC（@4.5V），有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为140W（Tc），工作结温高达175°C，确保了在严苛应用中的可靠性与热稳定性。

• 型号:STP105N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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