STP10NK70ZFP

STP10NK70ZFP是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其700V的高漏源电压（V_DSS）与经优化的低导通电阻特性，能够在高压应用中实现更低的传导损耗。

其电气参数表现均衡，在壳温25°C时连续漏极电流额定值为8.6A，栅极驱动电压为10V，确保了强大的电流处理能力和易驱动性。优化的栅极电荷（Q_g）有助于降低开关损耗，提升系统在较高频率下的工作效率。这些特性使其成为工业级开关电源、功率因数校正和电机控制等高压功率转换应用的理想选择。

• 型号:STP10NK70ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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