STP10LN80K5技术参数详情：
STP10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合了低至630毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅15nC的栅极电荷（Qg），实现了高压处理能力与低开关/导通损耗的优异平衡。
其设计支持8A的连续漏极电流和110W的功率耗散能力（Tc），采用坚固的TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的高压开关应用的理想选择，例如开关电源和功率转换系统。
- 型号:STP10LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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