STP11N52K3技术参数详情：
STP11N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括525V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。
其技术优势体现在优异的导通与开关特性上：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为510毫欧，有助于降低传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）为51nC，有利于实现快速开关并简化驱动设计。这些特性使其在提升系统效率方面表现突出。
该MOSFET适用于要求高可靠性与高效率的功率转换场景，如开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）以及电机驱动等应用。其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。
- 型号:STP11N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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