STP10NK60Z

STP10NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至750毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升能源转换效率。

此外，其10A的连续漏极电流承载能力和115W的高功率耗散特性，配合TO-220AB封装，确保了强大的功率处理与散热性能。器件具备低栅极电荷（Qg）和宽泛的栅极驱动电压范围，支持高效、快速的开关操作，并兼容常见的驱动电路。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业照明等高压、高可靠性应用的理想选择。

• 型号:STP10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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