STP10NK80ZFP

STP10NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心电气规格包括800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下9A的连续漏极电流能力，为功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至900毫欧（@4.5A），有助于最小化导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值72nC）和输入电容特性，确保了快速、高效的开关行为，有利于提升系统频率并降低驱动需求。器件采用TO-220FP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业级应用。

• 型号:STP10NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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