STP10NM60ND

STP10NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件设计用于高电压、高频率的开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下仅为600毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值20nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率并允许使用更紧凑的磁性元件。器件采用TO-220通孔封装，支持高达70W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STP10NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:577 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP10NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。