STP110N8F7技术参数详情：
STP110N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括80V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。
其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为7.5毫欧，能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大46.8nC）和输入电容特性确保了高效的开关性能，有助于提升整体系统效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和170W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工业与汽车应用环境。
- 型号:STP110N8F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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