STP11N65M2技术参数详情：
STP11N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）额定值与低至670mΩ的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于先进的超结技术，能有效降低导通损耗。
在7A的连续漏极电流（Id）额定值下，器件具备优秀的电流处理能力。其低栅极电荷（Qg: 12.5nC）特性显著减少了开关损耗，支持更高频率的开关操作，从而有助于提升电源系统的功率密度和整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与85W的功率耗散能力，确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP11N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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