STP11NM60A技术参数详情：
STP11NM60A是ST意法半导体基于MDmesh技术制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温25°C下11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
该器件在动态与静态性能间取得了良好折衷，其最大导通电阻（Rds(on)）为450mΩ @ 10V，有助于降低导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）为49nC，有利于实现较高的开关频率和效率。宽广的结温工作范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP11NM60A
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1211 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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