STP120N4F6技术参数详情：
STP120N4F6是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流条件下典型值仅为4.3毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。
其额定漏源电压为40V，在25°C壳温下可连续通过高达80A的电流，并支持175°C的最高结温，展现了强大的功率处理能力和宽温工作稳定性。较低的栅极电荷（65nC @10V）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其成为汽车电子及高效工业电源系统中，进行功率开关和电机驱动的可靠解决方案。
- 型号:STP120N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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