STH320N4F6-6技术参数详情：
STH320N4F6-6是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于Automotive, DeepGATE, STripFET VI产品系列，采用H2PAK-6封装，专为高功率密度和高可靠性应用设计。
其核心电气参数突出，包括40V的漏源电压（VDSS）和高达200A（Tc）的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V VGS、80A ID条件下最大仅为1.3毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在240nC，有利于实现高效的开关操作。
该器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为300W（Tc），确保了在严苛汽车环境下的稳定运行与卓越的热性能，是电机驱动、电源转换等高压大电流应用的理想选择。
- 型号:STH320N4F6-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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