STP12N50M2技术参数详情：
STP12N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有效减少了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为开发高效、紧凑型电源解决方案的关键元件。
- 型号:STP12N50M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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