STQ2NK60ZR-AP技术参数详情：
STQ2NK60ZR-AP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压额定值与优化的开关性能的结合，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC，有助于实现高效率的功率开关操作。
在电气规格方面，器件在壳温条件下支持400mA连续电流，导通电阻特性良好，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内工作。这些特性使其成为小功率离线式开关电源、照明电子镇流器等高压开关应用的可靠选择，旨在满足对能效和空间均有要求的紧凑型设计需求。
- 型号:STQ2NK60ZR-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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