STP13N95K3技术参数详情：
STP13N95K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括950V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc），提供了强大的功率处理能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型值分别为850mΩ @ 5A，10V和51nC @ 10V，这有助于显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。此外，器件支持高达190W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内工作，确保了在严苛环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STP13N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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