STP15NM65N技术参数详情：
STP15NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，33.3nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关速度，降低开关损耗，使其非常适用于高频开关电源和电机驱动等对效率与动态响应要求苛刻的场合。
- 型号:STP15NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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