STP160N3LL

STP160N3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其高达120A的连续漏极电流承载能力与极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为3.2毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至42nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源拓扑。器件额定漏源电压为30V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等大电流、高效率应用的优选功率开关解决方案。

• 型号:STP160N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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