STP16NS25

STP16NS25是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于结合了250V的高漏源电压与16A的连续电流处理能力，基于MESH OVERLAY技术实现了低导通电阻与良好开关特性的平衡。

该器件在10V栅极驱动下具备优化的动态性能，有助于降低开关损耗，提升系统效率。其坚固的封装支持高达140W的功率耗散，工作结温范围达-65°C至150°C，确保了在工业级应用中的可靠性与热稳定性。

• 型号:STP16NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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