STP180NS04ZC技术参数详情：
STP180NS04ZC是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A条件下典型值仅为4.2mΩ，配合高达120A（Tc）的连续漏极电流能力，能够显著降低功率系统中的传导损耗。
该器件设计用于33V的漏源电压环境，栅极电荷（Qg）最大值为110nC，有助于实现高效的开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和330W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛应用中的可靠性与稳定性，适用于电机驱动、电源转换等高功率密度场景。
- 型号:STP180NS04ZC
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:33 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4560 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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