STD8NM60N-1技术参数详情：
STD8NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压额定值与7A的连续漏极电流能力，结合低至650毫欧（最大值）的导通电阻，确保了在高压应用中具备出色的功率处理效率和较低的传导损耗。
其设计注重开关性能的优化，最大栅极电荷仅为19nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动电路的负担。器件采用坚固的I-PAK通孔封装，提供良好的热性能，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:STD8NM60N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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