STP22NF03L技术参数详情：
STP22NF03L是ST意法半导体推出的一款采用TO-220AB封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其优异的电气参数组合：30V的漏源电压（VDSS）与高达22A（Tc）的连续漏极电流（ID）使其能够处理可观的功率；而其关键特性在10V VGS和11A ID条件下最大仅50毫欧的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通状态下的功率损耗。
此外，器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）低至9nC @ 5V，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和45W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在多种环境下的可靠性与鲁棒性。这些参数共同定义了该器件作为高效率、高电流密度开关解决方案的核心价值。
- 型号:STP22NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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