STP240N10F7技术参数详情：
STP240N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列，旨在提供优异的开关性能与功率处理能力。
其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流。关键优势在于极低的导通电阻（典型值3.2mΩ @10V, 60A）与优化的栅极电荷（最大值176nC @10V），这共同实现了低传导损耗与低开关损耗，显著提升系统效率。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在高负载和恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STP240N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:176 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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