STP310N10F7

STP310N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列。该器件额定漏源电压为100V，在壳温25°C下可连续通过高达180A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下典型值仅为2.7毫欧，能显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备快速开关特性，其最大栅极电荷为180nC @ 10V，有助于提升开关频率并优化驱动效率。器件采用TO-220通孔封装，最大结温达175°C，功率耗散能力为315W（Tc），确保了在高功率应用中的可靠性与散热效能。这些特性使其成为高电流、中压开关应用的效率提升关键元件。

• 型号:STP310N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 180A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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