STP33N60M2

STP33N60M2是ST意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达600V的漏源电压（Vdss）与低至125毫欧（@10V，13A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这显著降低了功率损耗，提升了系统效率。

该器件在25°C壳温下可承受26A的连续漏极电流，最大功耗达190W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的可靠运行。优化的栅极电荷（45.5nC @10V）和输入电容特性，使其具备快速的开关性能，非常适合用于高频开关电源、电机驱动及各类工业功率转换应用。

• 型号:STP33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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