STP34N65M5

STP34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件设计用于高效能功率开关应用，其核心优势在于结合了650V的高耐压与极低的导通电阻（Rds(on)），在14A，10V条件下最大值仅为110毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

此外，该MOSFET具备28A的连续漏极电流能力和150°C的最大工作结温，配合TO-220封装，提供了出色的电流处理能力和散热性能。其优化的栅极电荷特性有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，使其成为工业电源、电机驱动和各类功率转换系统中提升功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STP34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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