STP3N150技术参数详情：
STP3N150是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达1500V的漏源击穿电压（Vdss）和基于PowerMESH技术的低导通电阻特性，能够有效应对高压环境下的开关需求，同时降低导通损耗。
该器件在10V驱动电压下具备较低的栅极电荷（Qg，最大29.3nC）和输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。其额定连续漏极电流为2.5A（Tc），最大功耗140W（Tc），结合宽泛的工作结温范围（最高150°C），为开关电源、工业电机驱动和功率转换等应用提供了可靠且高效的高压开关解决方案。
- 型号:STP3N150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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