STP3NK90Z技术参数详情：
STP3NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通特性，在10V Vgs、1.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.8欧姆，实现了高压与低导通损耗的良好结合。
该器件具备快速的开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至22.7nC，有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。其设计支持3A的连续漏极电流（Tc=25°C）和90W的最大功耗，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高压开关电源、PFC及工业控制等应用中的高效、可靠运行。
- 型号:STP3NK90Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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