STP4N80K5

STP4N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和3A的连续漏极电流（I_D），提供了稳健的电压阻断能力和电流处理能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（R_DS(on)最大2.5Ω @10V）与优化的栅极电荷（Q_g最大10.5nC @10V），这共同实现了更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。采用TO-220封装，支持通孔安装，并具备60W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在各种应用条件下的可靠性与耐用性。

• 型号:STP4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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