STW18NM60N技术参数详情：
STW18NM60N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下低至285毫欧（@6.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值35nC @10V）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其成为高效率电源和功率转换设计的理想选择。
- 型号:STW18NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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