STP50NE10技术参数详情：
STP50NE10是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达100V的电压和50A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在标准工作条件下典型值仅为27毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。
此外，该器件具备优化的开关特性，总栅极电荷较低，有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路的负担。其采用坚固的TO-220AB通孔封装，支持高达180W的功率耗散，结合175°C的最高工作结温，确保了在电机驱动、电源转换等中高功率应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:STP50NE10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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