PM8851D技术参数详情：
PM8851D是ST意法半导体生产的一款单通道低侧栅极驱动器，采用SOT-23-6紧凑封装，专为驱动N沟道或P沟道MOSFET而优化。其核心优势在于提供高达1A拉出与800mA灌入的峰值驱动电流，并具备典型值20纳秒的极快开关速度，能有效降低功率器件的开关损耗，提升系统效率。
该器件工作电压范围为10V至18V，输入为非反相逻辑，接口简单。其宽结温工作范围（-40°C至150°C）确保了在工业及汽车电子等恶劣环境下的高可靠性。PM8851D是开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中实现高效、紧凑功率开关设计的理想选择。
- 型号:PM8851D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-23-6
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:低端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:MOSFET（N 沟道，P 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 18V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:800mA，1A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商器件封装:SOT-23-6
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