STP52P3LLH6

STP52P3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心优势在于其30V的漏源电压（V_DSS）和高达52A（T_C=25°C）的连续漏极电流处理能力，能够胜任大电流开关任务。

其技术设计聚焦于降低损耗，优化的栅极驱动电压（10V时R_DS(on)最小，兼容4.5V逻辑电平）与低导通电阻相结合，旨在提升系统的整体能效和开关速度。最大70W（T_C）的功率耗散能力，配合TO-220封装良好的热特性，确保了在高负载应用中的稳定运行。这款MOSFET是同步整流、DC-DC转换和电机驱动等高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:STP52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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