STL22N65M5

STL22N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压高效应用，其核心优势在于650V的漏源电压（Vdss）与低至210毫欧（@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高电压下显著降低导通损耗。

器件在25°C壳温条件下可支持15A的连续漏极电流，并采用热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，便于散热管理。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷（36nC @10V）和输入电容，确保了快速的开关速度，有助于提升开关电源的整体效率与功率密度，适用于要求严苛的工业与消费类电源解决方案。

• 型号:STL22N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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