STP76NF75技术参数详情：
STP76NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其出色的电气参数平衡，提供75V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流处理能力。
其关键卖点是极低的导通电阻（典型值11mΩ @ 10V， 40A）与适中的栅极电荷（最大值160nC @ 10V）相结合，这有效降低了功率传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性。
- 型号:STP76NF75
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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