STP77N6F6技术参数详情：
STP77N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，核心优势在于其出色的电流承载与低损耗特性，在25°C壳温下连续漏极电流高达77A，并在10V驱动电压、38.5A电流条件下提供仅7毫欧的最大导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗。
其电气规格包括60V的漏源电压额定值，最大栅极电荷为76nC @ 10V，栅源阈值电压最大为4V。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与80W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和工业功率控制等应用的理想选择。
- 型号:STP77N6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 77A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):77A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 38.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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