STS25NH3LL-E技术参数详情：
STS25NH3LL-E是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装，核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、12.5A Id条件下典型值仅为3.5毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，实现了低传导损耗与快速开关特性的优异结合。
其电气规格坚实可靠，漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达25A（Tc），工作结温范围宽至-55°C至175°C。4.5V至10V的驱动电压范围使其易于驱动，兼容逻辑电平接口。这些参数使其成为空间受限、追求高效率的功率转换和电机控制应用的理想选择。
- 型号:STS25NH3LL-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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