STP80N20M5

STP80N20M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其200V的漏源电压（Vdss）与高达61A（Tc）的连续漏极电流能力，能够胜任中高功率的开关应用。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至23毫欧（@10V，30.5A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值为104nC（@10V），有助于实现快速的开关切换，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高效能转换电路的理想选择。

• 型号:STP80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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