STP80N6F6技术参数详情：
STP80N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高电流、高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、50A Id条件下典型值仅为5.8mΩ，配合110A（Tc）的连续漏极电流能力，可显著降低功率损耗，提升系统整体能效。
该器件具备60V的漏源电压额定值，工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了AEC-Q101汽车级认证，确保了在恶劣环境下的长期可靠性。其栅极电荷(Qg)为122nC，有助于实现快速的开关切换。这些特性使其非常适用于汽车电子、工业电机驱动及大电流开关电源等领域的功率转换与控制电路。
- 型号:STP80N6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 110A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP80N6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
