STP80NF03L

STP80NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其高性能STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为4.5mΩ，能够支持高达80A的连续漏极电流和300W的功率耗散，显著降低了功率应用中的传导损耗。

其30V的漏源电压（V_DSS）使其适用于24V及以下的低压、大电流场景。器件具备标准逻辑电平驱动能力（V_GS(th)最大2.5V），栅极电荷（Q_g）较低，有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和DC-DC转换等应用中高性能开关解决方案的可靠选择。

• 型号:STP80NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP80NF03L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。