STP80NF10

STP80NF10是ST意法半导体推出的STripFET II系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）与高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至15毫欧（@40A, 10V）的导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗。

其动态特性同样出色，最大栅极电荷（Qg）为182nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，最大功率耗散达300W，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性与稳定性。这些参数使其成为电机驱动、电源转换和功率控制等领域的理想选择。

• 型号:STP80NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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