STP80NF55技术参数详情：
STP80NF55是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心优势在于能够承受高达80A的连续漏极电流和55V的漏源电压，为高功率应用提供了坚实的基础。
该器件的设计重点在于优化功率效率，其低导通电阻特性可显著降低导通状态下的功率损耗，配合快速的开关性能，有效提升了系统的整体能效和功率密度。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统中高效功率开关的理想解决方案。
- 型号:STP80NF55
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220
- 系列:*
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP80NF55，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
