STP8NM50技术参数详情：
STP8NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）特性，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为800毫欧（@2.5A），同时连续漏极电流（Id）可达8A，为高压开关应用提供了高效的功率处理能力。
其技术亮点还包括优化的动态参数，如最大栅极电荷（Qg）低至13nC（@10V），这有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散为100W（Tc），工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STP8NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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