STP8NM60ND

STP8NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Tc），为功率转换系统提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在优异的动态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为700毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和输入电容（Ciss，最大值560pF @ 50V）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用TO-220-3通孔封装，结温最高支持150°C，适合需要高可靠性的工业级电源与电机控制应用。

• 型号:STP8NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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