STP95N2LH5技术参数详情：
STP95N2LH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于低压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.9毫欧 @ 10V， 40A）与低栅极电荷（最大值13.4nC @ 5V）的出色结合，这使其在导通损耗和开关损耗方面均表现优异。
该MOSFET的额定漏源电压为25V，在壳温条件下可支持高达80A的连续电流，最大功率耗散为80W。其采用TO-220AB通孔封装，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效电源转换等应用的理想选择。
- 型号:STP95N2LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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