STP9N80K5

STP9N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其800V的漏源击穿电压（V_DSS）与低至900mΩ（最大值）的导通电阻（R_DS(on)）的良好结合，旨在降低高压应用中的导通损耗。

其技术特性聚焦于提升开关能效，最大栅极电荷（Q_g）仅为12nC，有助于减少驱动损耗并支持更高频率的操作。在25°C壳温下，器件可承受7A的连续漏极电流，最大结温达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的功率转换设计的理想选择。

• 制造商产品型号：STP9N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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