STPSC20065D技术参数详情：
STPSC20065D是ST意法半导体推出的一款650V/20A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC封装。该器件的核心价值在于其基于宽禁带半导体材料，实现了理论上为零的反向恢复时间与反向恢复电荷，彻底消除了传统硅二极管开关过程中的拖尾电流问题。
其技术参数表现为：在20A额定电流下，正向压降仅为1.45V，有助于降低导通损耗；在650V全额定电压下，反向漏电流极低，确保了高温下的高可靠性。这些特性使其能够显著降低开关损耗和电磁干扰，支持更高频率的开关操作。
因此，STPSC20065D专为追求高效率、高功率密度和高可靠性的功率转换系统而设计，是升级传统硅基二极管方案的理想选择。
- 型号:STPSC20065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):20A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 20 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:1250pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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